Николай Левашов. Неоднородная Вселенная

Рубрика: Левашов

Рис. 3.3.11

Рис.3.3.11. Возможность для атомов, имеющих разные уровни собственной мерности, образовывать молекулы появляется при поглощении или излучении одним из них электромагнитных волн, длина волны которых соизмерима с расстоянием между этими атомами. Данным требованиям отвечают волны из диапазона от инфракрасных до ультрафиолетовых, включительно. При поглощении одним из атомов волны, его уровень собственной мерности увеличивается на величину амплитуды волны. При излучении волны уровень собственной мерности соответственно уменьшается на величину амплитуды излучаемой волны. В результате, собственные уровни разных атомов A1 и A2 выравниваются, и они в состоянии образовать новую молекулу. Весь спектр химических соединений, существующих в природе, включая и органические, существует, благодаря небольшому участку — диазону так называемых электромагнитных волн. Следовательно, появление живой материи невозможно без этих незначительных колебаний мерности микропространства — электромагнитных волн от инфракрасных до ультрафиолетовых.

Рис. 3.3.12

Рис.3.3.12. Атомы одного и того же элемента имеют одинаковые оптимальные уровни собственной мерности. Поэтому если среда, где они находятся не насыщена чрезмерно инфракрасными (тепловыми) излучениями, через некоторое время, эти атомы соберутся на уровне оптимальной мерности, что создаёт качественные условия для соединения их электронных оболочек между собой и образования кристаллической структуры. При этом говорят о температуре среды, при которой происходит кристаллизация. Для атомов разных элементов эта температура своя, так же, как и после завершения процесса кристаллизации кристаллы разных элементов будут иметь разные уровни собственной мерности, и между ними будет существовать перепад мерности ΔL.

A1 — ядра атомов первого элемента.

A2 — ядра атомов второго элемента.

L1 — уровень мерности кристалла первого элемента.

L2 — уровень мерности кристалла второго элемента.

ΔL — перепад между уровнями собственной мерности двух разных элементов.

Рис. 3.3.13

Рис.3.3.13. Кристаллические структуры разных элементов имеют разные уровни собственной мерности. И если поместить эти кристаллические структуры на расстоянии, соизмеримом с размерами самих кристаллов, в промежуточном пространстве возникнет перепад мерности (градиент) от уровня кристаллической структуры большей собственной мерности к уровню с меньшей. Этот перепад не столь значительный, чтобы вызвать неустойчивость атомов, образующих эти кристаллические структуры, но, если между ними поместить жидкую среду, насыщенную положительными и отрицательными ионами, перепад между кристаллическими структурами заставит двигаться свободные ионы в разных направлениях.

При этом положительные ионы, имеющие более высокий уровень собственной мерности, под воздействием этого перепада начнут скапливаться на поверхности кристаллической структуры с большим уровнем собственной мерности, в то время, как отрицательные ионы с меньшим уровнем собственной мерности — на поверхности с меньшим уровнем собственной мерности. Избыток положительных ионов на одной поверхности позволяет говорить о положительном заряде, в то время, как избыток отрицательных ионов — об отрицательном заряде поверхностей. Наличие перепада уровней собственной мерности между разными кристаллическими поверхностями вызывает перераспределение ионов, насыщающих промежуточную среду и приводит к появлению, так называемого, постоянного электрического тока между этими поверхностями, если соединить их между собой посредством проводника.

1. Кристаллическая поверхность с меньшим уровнем собственной мерности.

2. Кристаллическая поверхность с большим уровнем собственной мерности.

3. Промежуточная жидкая среда насыщенная ионами.

4. Положительные ионы.

5. Отрицательные ионы.

L1 — уровень мерности кристалла первого элемента.

L2 — уровень мерности кристалла второго элемента.

ΔL — перепад между уровнями собственной мерности двух разных элементов.

Рис. 3.3.14

Рис.3.3.14. Кристаллическая решётка любого твердого вещества неоднородна в разных пространственных направлениях. Это является результатом того, что синтез атомов происходит в неоднородном пространстве. Неоднородное пространство, взаимодействуя с неоднородной структурой атомов, вынуждает их ориентироваться и располагаться по отношению друг к другу в определённом порядке. Поэтому, практически, все кристаллы анизотропны, т.е., их свойства и качества различны в разных пространственных направлениях. В силу тех же причин их реакция на одно и тоже внешнее воздействие будет зависеть от того, в каком пространственном направлении это воздействие происходит. Поэтому, перепад мерности вдоль оптической оси кристалла получил название электрического поля Е, так как заставляет электроны перепрыгивать с орбиты одного атома на орбиту другого. В то время, как перепад мерности перпендикулярный оптической оси кристалла получил название магнитного поля В, так как, заставляет атомы или группы атомов переориентироваться в пространстве. Хотя, в обоих случаях присутствует перепад мерности пространства ΔL.

Рис. 3.3.15

Рис.3.3.15. Постоянное магнитное поле В представляет собой перепад мерности пространства, который накладывается на кристаллическую систему в направлении, перпендикулярном оптической оси кристалла. И если условно принять верхнюю границу устойчивости физически плотного вещества за «север», а нижнюю — за «юг», то перепад мерности с юга на север выступает, как северный магнитный полюс, а перепад мерности с севера на юг выступает, как южный магнитный полюс. Эти отличия определяются неоднородностью кристаллов в указанных направлениях (верх-низ). Неоднородность свойств кристаллических решёток связана с пространственной ориентацией электронных орбит. Поэтому перепад мерности с «юга на север» облегчает «переходы» электронов с орбиты на орбиту, как внутри отдельного атома, так и между соседними атомами кристаллической решётки. В то время, как перепад мерности с «севера на юг» — в значительной степени, затрудняет указанные переходы.

A1, A2 — ядра атомов кристаллической структуры.

1. Постоянное магнитное поле.

B — перепад мерности вдоль оптической оси кристалла.

Рис. 3.3.16

Рис.3.3.16. Постоянное электрическое поле Е представляет собой перепад мерности вдоль оптической оси кристаллических решёток. Направление электрического поля может быть, как с «запада на восток», так и с «востока на запад». При этом свойства электрического поля будут тождественны в силу того, что кристаллические решётки в данных направлениях тождественны. Природа электрического поля проста. Оно создаёт «гравитационный ветер». Перепад мерности вдоль оптической оси сносит электроны с электронной орбиты одного атома на орбиты другого во время фазы между материализациями электрона. Атомы расположенные вдоль оптической оси кристалла попадают под различное по силе влияние перепада мерности, в результате чего происходит перераспределение электронов у атомов вдоль оптической оси, что и создаёт, так называемый, электрический ток — направленное движение электронов от плюса к минусу.

A1, A2 — ядра атомов кристаллической структуры.

2. Постоянное электрическое поле.

E — Перепад мерности вдоль оптической оси кристалла.

Рис. 3.3.17

Рис.3.3.17. Переменное магнитное поле В представляет собой периодическое (волнообразное) изменение мерности пространства в направлении, перпендикулярном оптической оси кристалла. При этом один и тот же атом кристаллической решётки периодически попадает под перепады мерности, как в направлении с «юга на север», так и в направлении с «севера на юг». В силу чего периодически каждый атом оказывается в разных качественных условиях. В результате этого каждый атом будет периодически оказываться в условиях, когда его электроны то «прикреплены» к своему атому более жёстко, то наоборот практически «свободны», в зависимости от того, в каком направлении действует перепад мерности на данном отрезке оптической оси кристалла. Естественно, разные кристаллы, состоящие из атомов разных элементов, будут реагировать на подобные перепады мерности по-разному в силу того, что они имеют разные ядра и разное число электронов с разными электронными оболочками. Наиболее слабо электроны «связаны» со своими атомами у металлов, которые носят название проводников электричества.

Рис. 3.3.18

Рис.3.3.18. Переменное электрическое поле Е представляет собой периодическое (волнообразное) изменение мерности пространства вдоль оптической оси кристалла. При этом один и тот же атом кристаллической решётки периодически попадает под перепады мерности, как в направлении с «запада на восток», так и в направлении с «востока на запад». В результате чего происходит периодическое перераспределение электронов вдоль оптической оси, как в одном, так и в другом направлении. Возникает переменный электрический ток. Один и тот же атом попадает под противоположные перепады мерности вдоль оптической оси кристаллической решётки. При этом каждый атом то теряет электроны, то получает их от соседних атомов. При этом регулированием амплитуды и частоты можно получить новые качественные состояния физической материи за счёт кратковременного перехода атома или группы атомов на уровни мерности выше или ниже оптимального для данного элемента. Такие переходы провоцируют излучение или поглощение этими атомами фотонов, на которые данные атомы не реагируют в своём обычном состоянии.

Рис. 3.3.19

Рис.3.3.19. Если вспомнить, что переменное магнитное поле В представляет собой перепад мерности перпендикулярно оптической оси в направлениях «с севера на юг» и с «юга на север», то результатом такого периодического воздействия на пространственно неоднородную структуру физически плотного вещества является потеря или приобретение дополнительных электронов атомом или группой атомов вдоль оптической оси кристаллической решётки. Периодическая потеря или приобретение атомами электронов есть ни что иное, как переменный электрический ток. Таким образом переменное магнитное поле порождает переменное электрическое поле и наоборот. При этом «рождение» электрического поля происходит с некоторой задержкой, с так называемой, сдвижкой по фазе, что создаёт условия для возможности распространения электромагнитных волн в пространстве. Магнитное и электрическое поля, как постоянные, так и переменные, являются результатом воздействия на пространственно неоднородное физически плотное вещество одного и того же по своей природе перепада мерности в разных направлениях.

X